સિલિકોન કાર્બાઇડ સબસ્ટ્રેટ્સ|SiC વેફર્સ

ટૂંકું વર્ણન:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. વેફર અને અદ્યતન સેમિકન્ડક્ટર ઉપભોજ્ય વસ્તુઓમાં વિશેષતા ધરાવતા અગ્રણી સપ્લાયર છે. અમે સેમિકન્ડક્ટર મેન્યુફેક્ચરિંગ, ફોટોવોલ્ટેઇક ઉદ્યોગ અને અન્ય સંબંધિત ક્ષેત્રોને ઉચ્ચ-ગુણવત્તાવાળા, વિશ્વસનીય અને નવીન ઉત્પાદનો પ્રદાન કરવા માટે સમર્પિત છીએ.

અમારી પ્રોડક્ટ લાઇનમાં SiC/TaC કોટેડ ગ્રેફાઇટ ઉત્પાદનો અને સિરામિક ઉત્પાદનોનો સમાવેશ થાય છે, જેમાં સિલિકોન કાર્બાઇડ, સિલિકોન નાઇટ્રાઇડ અને એલ્યુમિનિયમ ઓક્સાઇડ અને વગેરે જેવી વિવિધ સામગ્રીનો સમાવેશ થાય છે.

હાલમાં, અમે શુદ્ધતા 99.9999% SiC કોટિંગ અને 99.9% પુનઃપ્રક્રિયાકૃત સિલિકોન કાર્બાઇડ પ્રદાન કરવા માટે એકમાત્ર ઉત્પાદક છીએ. મહત્તમ SiC કોટિંગ લંબાઈ અમે 2640mm કરી શકીએ છીએ.

 

ઉત્પાદન વિગતો

ઉત્પાદન ટૅગ્સ

SiC-વેફર

સિલિકોન કાર્બાઇડ (SiC) સિંગલ ક્રિસ્ટલ સામગ્રીમાં વિશાળ બેન્ડ ગેપ પહોળાઈ (~Si 3 વખત), ઉચ્ચ થર્મલ વાહકતા (~Si 3.3 વખત અથવા GaAs 10 વખત), ઉચ્ચ ઇલેક્ટ્રોન સંતૃપ્તિ સ્થળાંતર દર (~Si 2.5 વખત), ઉચ્ચ બ્રેકડાઉન ઇલેક્ટ્રિક ફીલ્ડ (~Si 10 વખત અથવા GaAs 5 વખત) અને અન્ય ઉત્કૃષ્ટ લાક્ષણિકતાઓ.

ઉચ્ચ તાપમાન, ઉચ્ચ દબાણ, ઉચ્ચ આવર્તન, ઉચ્ચ શક્તિવાળા ઇલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણો અને એરોસ્પેસ, સૈન્ય, અણુ ઊર્જા વગેરે જેવા આત્યંતિક પર્યાવરણીય કાર્યક્રમોના ક્ષેત્રમાં SiC ઉપકરણોમાં બદલી ન શકાય તેવા ફાયદા છે, જે વ્યવહારિકમાં પરંપરાગત સેમિકન્ડક્ટર સામગ્રીના ઉપકરણોની ખામીઓને દૂર કરે છે. એપ્લિકેશન, અને ધીમે ધીમે પાવર સેમિકન્ડક્ટર્સની મુખ્ય પ્રવાહ બની રહી છે.

4H-SiC સિલિકોન કાર્બાઇડ સબસ્ટ્રેટ વિશિષ્ટતાઓ

આઇટમ项目

સ્પષ્ટીકરણો参数

પોલીટાઈપ
晶型

4H -SiC

6H- SiC

વ્યાસ
晶圆直径

2 ઇંચ | 3 ઇંચ | 4 ઇંચ | 6 ઇંચ

2 ઇંચ | 3 ઇંચ | 4 ઇંચ | 6 ઇંચ

જાડાઈ
厚度

330 μm ~ 350 μm

330 μm ~ 350 μm

વાહકતા
导电类型

એન - પ્રકાર / અર્ધ-ઇન્સ્યુલેટીંગ
N型导电片/ 半绝缘片

એન - પ્રકાર / અર્ધ-ઇન્સ્યુલેટીંગ
N型导电片/ 半绝缘片

ડોપન્ટ
掺杂剂

N2 ( નાઇટ્રોજન ) V ( વેનેડિયમ )

N2 ( નાઇટ્રોજન ) V ( વેનેડિયમ )

ઓરિએન્ટેશન
晶向

ધરી પર <0001>
બંધ અક્ષ <0001> બંધ 4°

ધરી પર <0001>
બંધ અક્ષ <0001> બંધ 4°

પ્રતિકારકતા
电阻率

0.015 ~ 0.03 ઓહ્મ-સેમી
(4H-N)

0.02 ~ 0.1 ઓહ્મ-સેમી
(6H-N)

માઇક્રોપાઇપ ડેન્સિટી (MPD)
微管密度

≤10/cm2 ~ ≤1/cm2

≤10/cm2 ~ ≤1/cm2

ટીટીવી
总厚度变化

≤ 15 μm

≤ 15 μm

ધનુષ / વાર્પ
翘曲度

≤25 μm

≤25 μm

સપાટી
表面处理

ડીએસપી/એસએસપી

ડીએસપી/એસએસપી

ગ્રેડ
产品等级

ઉત્પાદન / સંશોધન ગ્રેડ

ઉત્પાદન / સંશોધન ગ્રેડ

ક્રિસ્ટલ સ્ટેકીંગ સિક્વન્સ
堆积方式

ABCB

એબીસીએબીસી

જાળી પરિમાણ
晶格参数

a=3.076A , c=10.053A

a=3.073A , c=15.117A

દા.ત./eV(બેન્ડ-ગેપ)
禁带宽度

3.27 eV

3.02 eV

ε(ડાઇલેક્ટ્રિક કોન્સ્ટન્ટ)
介电常数

9.6

9.66

રીફ્રેક્શન ઇન્ડેક્સ
折射率

n0 =2.719 ne =2.777

n0 =2.707 , ne =2.755

6H-SiC સિલિકોન કાર્બાઇડ સબસ્ટ્રેટ વિશિષ્ટતાઓ

આઇટમ项目

સ્પષ્ટીકરણો参数

પોલીટાઈપ
晶型

6H-SiC

વ્યાસ
晶圆直径

4 ઇંચ | 6 ઇંચ

જાડાઈ
厚度

350μm ~ 450μm

વાહકતા
导电类型

એન - પ્રકાર / અર્ધ-ઇન્સ્યુલેટીંગ
N型导电片/ 半绝缘片

ડોપન્ટ
掺杂剂

N2(નાઈટ્રોજન)
વી ( વેનેડિયમ )

ઓરિએન્ટેશન
晶向

<0001> 4°± 0.5°ની છૂટ

પ્રતિકારકતા
电阻率

0.02 ~ 0.1 ઓહ્મ-સેમી
(6H-N પ્રકાર)

માઇક્રોપાઇપ ડેન્સિટી (MPD)
微管密度

≤ 10/cm2

ટીટીવી
总厚度变化

≤ 15 μm

ધનુષ / વાર્પ
翘曲度

≤25 μm

સપાટી
表面处理

સી ફેસ: સીએમપી, એપી-રેડી
સી ફેસ: ઓપ્ટિકલ પોલિશ

ગ્રેડ
产品等级

સંશોધન ગ્રેડ

સેમિસેરા કાર્ય સ્થળ અર્ધ કાર્ય સ્થળ 2 સાધનો મશીન સીએનએન પ્રોસેસિંગ, રાસાયણિક સફાઈ, સીવીડી કોટિંગ અમારી સેવા


  • ગત:
  • આગળ: