GaAs સબસ્ટ્રેટને વાહક અને અર્ધ-ઇન્સ્યુલેટિંગમાં વિભાજિત કરવામાં આવે છે, જેનો વ્યાપકપણે લેસર (LD), સેમિકન્ડક્ટર લાઇટ-એમિટિંગ ડાયોડ (LED), નજીક-ઇન્ફ્રારેડ લેસર, ક્વોન્ટમ વેલ હાઇ-પાવર લેસર અને ઉચ્ચ-કાર્યક્ષમતાવાળા સૌર પેનલ્સમાં થાય છે.રડાર, માઇક્રોવેવ, મિલીમીટર વેવ અથવા અલ્ટ્રા-હાઇ સ્પીડ કમ્પ્યુટર્સ અને ઓપ્ટિકલ કોમ્યુનિકેશન્સ માટે HEMT અને HBT ચિપ્સ;વાયરલેસ કમ્યુનિકેશન માટે રેડિયો ફ્રીક્વન્સી ડિવાઇસ, 4G, 5G, સેટેલાઇટ કમ્યુનિકેશન, WLAN.
તાજેતરમાં, ગેલિયમ આર્સેનાઇડ સબસ્ટ્રેટ્સે મિની-એલઇડી, માઇક્રો-એલઇડી અને લાલ એલઇડીમાં પણ ઘણી પ્રગતિ કરી છે અને એઆર/વીઆર પહેરી શકાય તેવા ઉપકરણોમાં વ્યાપકપણે ઉપયોગમાં લેવાય છે.
| વ્યાસ | 50 મીમી |75 મીમી |100 મીમી |150 મીમી |
| વૃદ્ધિ પદ્ધતિ | એલઈસી液封直拉法 |
| વેફર જાડાઈ | 350 um ~ 625 um |
| ઓરિએન્ટેશન | <100> / <111> / <110> અથવા અન્ય |
| વાહક પ્રકાર | પી - પ્રકાર / એન - પ્રકાર / અર્ધ-ઇન્સ્યુલેટીંગ |
| પ્રકાર/ડોપન્ટ | Zn / Si / undoped |
| વાહક એકાગ્રતા | 1E17 ~ 5E19 સેમી-3 |
| RT પર પ્રતિકારકતા | SI માટે ≥1E7 |
| ગતિશીલતા | ≥4000 |
| EPD (એચ પિટ ડેન્સિટી) | 100~1E5 |
| ટીટીવી | ≤ 10 અમ |
| ધનુષ / વાર્પ | ≤ 20 અમ |
| સપાટી સમાપ્ત | ડીએસપી/એસએસપી |
| લેસર માર્ક |
|
| ગ્રેડ | Epi પોલિશ્ડ ગ્રેડ / યાંત્રિક ગ્રેડ |
