ટેન્ટેલમ કાર્બાઇડ કોટેડ રીંગ

ટૂંકું વર્ણન:

ટેન્ટેલમ કાર્બાઇડ કોટિંગ એ એક અદ્યતન સપાટી કોટિંગ તકનીક છે જે સબસ્ટ્રેટની સપાટી પર સખત, વસ્ત્રો-પ્રતિરોધક અને કાટ-પ્રતિરોધક રક્ષણાત્મક સ્તર બનાવવા માટે ટેન્ટેલમ કાર્બાઇડ સામગ્રીનો ઉપયોગ કરે છે. આ કોટિંગમાં ઉત્તમ ગુણધર્મો છે જે સામગ્રીની કઠિનતા, ઉચ્ચ તાપમાન પ્રતિકાર અને રાસાયણિક પ્રતિકારમાં નોંધપાત્ર વધારો કરે છે, જ્યારે ઘર્ષણ અને વસ્ત્રો ઘટાડે છે. ઔદ્યોગિક ઉત્પાદન, એરોસ્પેસ, ઓટોમોટિવ એન્જિનિયરિંગ અને તબીબી સાધનો સહિતના વિવિધ ક્ષેત્રોમાં ટેન્ટેલમ કાર્બાઇડ કોટિંગ્સનો વ્યાપકપણે ઉપયોગ થાય છે, જેથી સામગ્રીના જીવનને લંબાવવા, ઉત્પાદન કાર્યક્ષમતા સુધારવા અને જાળવણી ખર્ચ ઘટાડવામાં આવે છે. ધાતુની સપાટીને કાટથી બચાવવાની હોય અથવા યાંત્રિક ભાગોના વસ્ત્રો પ્રતિકાર અને ઓક્સિડેશન પ્રતિકારને વધારતી હોય, ટેન્ટેલમ કાર્બાઇડ કોટિંગ્સ વિવિધ એપ્લિકેશનો માટે વિશ્વસનીય ઉકેલ પૂરો પાડે છે.

 


ઉત્પાદન વિગતો

ઉત્પાદન ટૅગ્સ

સેમિસેરા વિવિધ ઘટકો અને વાહકો માટે વિશિષ્ટ ટેન્ટેલમ કાર્બાઇડ (TaC) કોટિંગ પ્રદાન કરે છે.સેમિસેરા અગ્રણી કોટિંગ પ્રક્રિયા ટેન્ટેલમ કાર્બાઇડ (TaC) કોટિંગ્સને ઉચ્ચ શુદ્ધતા, ઉચ્ચ તાપમાન સ્થિરતા અને ઉચ્ચ રાસાયણિક સહિષ્ણુતા પ્રાપ્ત કરવા સક્ષમ બનાવે છે, SIC/GAN ક્રિસ્ટલ્સ અને EPI સ્તરોની ઉત્પાદન ગુણવત્તામાં સુધારો કરે છે.ગ્રેફાઇટ કોટેડ TaC સસેપ્ટર), અને મુખ્ય રિએક્ટર ઘટકોનું જીવન લંબાવવું. ટેન્ટેલમ કાર્બાઇડ TaC કોટિંગનો ઉપયોગ એજ સમસ્યાને ઉકેલવા અને ક્રિસ્ટલ વૃદ્ધિની ગુણવત્તામાં સુધારો કરવા માટે છે, અને સેમિસેરા સેમિસેરાએ ટેન્ટેલમ કાર્બાઇડ કોટિંગ ટેક્નોલોજી (CVD) ને આંતરરાષ્ટ્રીય અદ્યતન સ્તરે પહોંચીને સફળતાપૂર્વક હલ કરી છે.

 

વર્ષોના વિકાસ પછી, સેમિસેરાએ ટેક્નોલોજી પર વિજય મેળવ્યો છેCVD TaCઆર એન્ડ ડી વિભાગના સંયુક્ત પ્રયાસો સાથે. SiC વેફરની વૃદ્ધિની પ્રક્રિયામાં ખામી સર્જવી સરળ છે, પરંતુ ઉપયોગ કર્યા પછીTaC, તફાવત નોંધપાત્ર છે. નીચે TaC સાથે અને વગર વેફરની સરખામણી છે, તેમજ સિમીસેરાના ભાગો સિંગલ ક્રિસ્ટલ વૃદ્ધિ માટે છે.

微信图片_20240227150045

TaC સાથે અને વગર

微信图片_20240227150053

TaC (જમણે) નો ઉપયોગ કર્યા પછી

વધુમાં, Semicera ના TaC કોટિંગ ઉત્પાદનોની સર્વિસ લાઇફ લાંબી છે અને SiC કોટિંગ કરતાં ઊંચા તાપમાને વધુ પ્રતિરોધક છે. પ્રયોગશાળાના માપન ડેટાના લાંબા સમય પછી, અમારું TaC મહત્તમ 2300 ડિગ્રી સેલ્સિયસ પર લાંબા સમય સુધી કામ કરી શકે છે. નીચેના અમારા કેટલાક નમૂનાઓ છે:

微信截图_20240227145010

(a) PVT પદ્ધતિ દ્વારા SiC સિંગલ ક્રિસ્ટલ ઇન્ગોટ ઉગાડતા ઉપકરણનું યોજનાકીય રેખાકૃતિ (b) ટોચના TaC કોટેડ બીજ કૌંસ (SIC બીજ સહિત) (c) TAC-કોટેડ ગ્રેફાઇટ માર્ગદર્શિકા રિંગ

ZDFVzCFV
મુખ્ય લક્ષણ
સેમિસેરા વર્ક પ્લેસ
અર્ધ કાર્ય સ્થળ 2
સાધનો મશીન
સીએનએન પ્રોસેસિંગ, રાસાયણિક સફાઈ, સીવીડી કોટિંગ
અમારી સેવા

  • ગત:
  • આગળ: