ટેન્ટેલમ કાર્બાઇડ TaC CVD કોટિંગ કસ્ટમ ભાગો

ટૂંકું વર્ણન:

8-ઇંચ સિલિકોન કાર્બાઇડ (SiC) વેફરના આગમન સાથે, વિવિધ સેમિકન્ડક્ટર પ્રક્રિયાઓ માટેની જરૂરિયાતો વધુને વધુ કડક બની છે, ખાસ કરીને એપિટાક્સી પ્રક્રિયાઓ માટે જ્યાં તાપમાન 2000 ડિગ્રી સેલ્સિયસથી વધી શકે છે. સિલિકોન કાર્બાઇડ સાથે કોટેડ ગ્રેફાઇટ જેવી પરંપરાગત સસેપ્ટર સામગ્રી, આ ઊંચા તાપમાને ઉત્કૃષ્ટ થવાનું વલણ ધરાવે છે, એપિટાક્સી પ્રક્રિયાને વિક્ષેપિત કરે છે. જો કે, CVD ટેન્ટેલમ કાર્બાઇડ (TaC) 2300 ડિગ્રી સેલ્સિયસ સુધીના તાપમાનનો સામનો કરીને અને લાંબી સર્વિસ લાઇફ ઓફર કરીને આ સમસ્યાને અસરકારક રીતે સંબોધિત કરે છે. સેમિસેરાનો સંપર્ક કરો's ટેન્ટેલમ કાર્બાઇડ TaC CVD કોટિંગ કસ્ટમ ભાગોઅમારા અદ્યતન ઉકેલો વિશે વધુ અન્વેષણ કરવા માટે.

 


ઉત્પાદન વિગતો

ઉત્પાદન ટૅગ્સ

સેમિસેરા વિવિધ ઘટકો અને વાહકો માટે વિશિષ્ટ ટેન્ટેલમ કાર્બાઇડ (TaC) કોટિંગ પ્રદાન કરે છે.સેમિસેરા અગ્રણી કોટિંગ પ્રક્રિયા ટેન્ટેલમ કાર્બાઇડ (TaC) કોટિંગ્સને ઉચ્ચ શુદ્ધતા, ઉચ્ચ તાપમાન સ્થિરતા અને ઉચ્ચ રાસાયણિક સહિષ્ણુતા પ્રાપ્ત કરવા સક્ષમ બનાવે છે, SIC/GAN ક્રિસ્ટલ્સ અને EPI સ્તરોની ઉત્પાદન ગુણવત્તામાં સુધારો કરે છે.ગ્રેફાઇટ કોટેડ TaC સસેપ્ટર), અને મુખ્ય રિએક્ટર ઘટકોનું જીવન લંબાવવું. ટેન્ટેલમ કાર્બાઇડ TaC કોટિંગનો ઉપયોગ એજ પ્રોબ્લેમને ઉકેલવા અને ક્રિસ્ટલ ગ્રોથની ગુણવત્તામાં સુધારો કરવા માટે છે અને સેમિસેરાએ ટેન્ટેલમ કાર્બાઇડ કોટિંગ ટેક્નોલોજી (CVD) ને આંતરરાષ્ટ્રીય અદ્યતન સ્તરે પહોંચાડી સફળતા મેળવી છે.

 

8-ઇંચ સિલિકોન કાર્બાઇડ (SiC) વેફરના આગમન સાથે, વિવિધ સેમિકન્ડક્ટર પ્રક્રિયાઓ માટેની જરૂરિયાતો વધુને વધુ કડક બની છે, ખાસ કરીને એપિટાક્સી પ્રક્રિયાઓ માટે જ્યાં તાપમાન 2000 ડિગ્રી સેલ્સિયસથી વધી શકે છે. સિલિકોન કાર્બાઇડ સાથે કોટેડ ગ્રેફાઇટ જેવી પરંપરાગત સસેપ્ટર સામગ્રી, આ ઊંચા તાપમાને ઉત્કૃષ્ટ થવાનું વલણ ધરાવે છે, એપિટાક્સી પ્રક્રિયાને વિક્ષેપિત કરે છે. જો કે, CVD ટેન્ટેલમ કાર્બાઇડ (TaC) 2300 ડિગ્રી સેલ્સિયસ સુધીના તાપમાનનો સામનો કરીને અને લાંબી સર્વિસ લાઇફ ઓફર કરીને આ સમસ્યાને અસરકારક રીતે સંબોધિત કરે છે. સેમિસેરાનો સંપર્ક કરો's ટેન્ટેલમ કાર્બાઇડ TaC CVD કોટિંગ કસ્ટમ ભાગોઅમારા અદ્યતન ઉકેલો વિશે વધુ અન્વેષણ કરવા માટે.

વર્ષોના વિકાસ પછી, સેમિસેરાએ ટેક્નોલોજી પર વિજય મેળવ્યો છેCVD TaCઆર એન્ડ ડી વિભાગના સંયુક્ત પ્રયાસો સાથે. SiC વેફરની વૃદ્ધિની પ્રક્રિયામાં ખામી સર્જવી સરળ છે, પરંતુ ઉપયોગ કર્યા પછીTaC, તફાવત નોંધપાત્ર છે. નીચે TAC સાથે અને વગર વેફરની સરખામણી છે, તેમજ સિમીસેરાના ભાગો સિંગલ ક્રિસ્ટલ વૃદ્ધિ માટે છે.

微信图片_20240227150045

TaC સાથે અને વગર

微信图片_20240227150053

TaC (જમણે) નો ઉપયોગ કર્યા પછી

તદુપરાંત, સેમિસેરાનાTaC-કોટેડ ઉત્પાદનોની તુલનામાં લાંબી સેવા જીવન અને વધુ ઉચ્ચ-તાપમાન પ્રતિકાર દર્શાવે છેSiC કોટિંગ્સ.પ્રયોગશાળાના માપન દર્શાવે છે કે અમારાTaC કોટિંગ્સલાંબા સમય સુધી 2300 ડિગ્રી સેલ્સિયસ સુધીના તાપમાને સતત કાર્ય કરી શકે છે. નીચે અમારા નમૂનાઓના કેટલાક ઉદાહરણો છે:

 
0(1)
સેમિસેરા વર્ક પ્લેસ
અર્ધ કાર્ય સ્થળ 2
સાધનો મશીન
સેમિસેરા વેર હાઉસ
સીએનએન પ્રોસેસિંગ, રાસાયણિક સફાઈ, સીવીડી કોટિંગ
અમારી સેવા

  • ગત:
  • આગળ: