સેમિસેરાનું સિલિકોન નાઇટ્રાઇડ સિરામિક સબસ્ટ્રેટ અદ્યતન સામગ્રી તકનીકની ટોચનું પ્રતિનિધિત્વ કરે છે, જે અસાધારણ થર્મલ વાહકતા અને મજબૂત યાંત્રિક ગુણધર્મો પ્રદાન કરે છે. ઉચ્ચ-પ્રદર્શન કાર્યક્રમો માટે એન્જિનિયર્ડ, આ સબસ્ટ્રેટ વિશ્વસનીય થર્મલ મેનેજમેન્ટ અને માળખાકીય અખંડિતતાની જરૂર હોય તેવા વાતાવરણમાં શ્રેષ્ઠ છે.
અમારા સિલિકોન નાઇટ્રાઇડ સિરામિક સબસ્ટ્રેટ્સ અત્યંત તાપમાન અને કઠોર પરિસ્થિતિઓનો સામનો કરવા માટે ડિઝાઇન કરવામાં આવ્યા છે, જે તેમને ઉચ્ચ-શક્તિ અને ઉચ્ચ-આવર્તન ઇલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણો માટે આદર્શ બનાવે છે. તેમની શ્રેષ્ઠ થર્મલ વાહકતા કાર્યક્ષમ ગરમીના વિસર્જનને સુનિશ્ચિત કરે છે, જે ઇલેક્ટ્રોનિક ઘટકોની કામગીરી અને આયુષ્ય જાળવવા માટે નિર્ણાયક છે.
સેમિસેરાની ગુણવત્તા પ્રત્યેની પ્રતિબદ્ધતા અમે ઉત્પન્ન કરીએ છીએ તે દરેક સિલિકોન નાઇટ્રાઇડ સિરામિક સબસ્ટ્રેટમાં સ્પષ્ટ છે. દરેક સબસ્ટ્રેટનું ઉત્પાદન અત્યાધુનિક પ્રક્રિયાઓનો ઉપયોગ કરીને કરવામાં આવે છે જેથી કરીને સુસંગત કામગીરી અને ન્યૂનતમ ખામીઓ સુનિશ્ચિત કરી શકાય. આ ઉચ્ચ સ્તરની ચોકસાઇ ઓટોમોટિવ, એરોસ્પેસ અને ટેલિકોમ્યુનિકેશન્સ જેવા ઉદ્યોગોની સખત માંગને સમર્થન આપે છે.
તેમના થર્મલ અને યાંત્રિક લાભો ઉપરાંત, અમારા સબસ્ટ્રેટ ઉત્તમ ઇલેક્ટ્રિકલ ઇન્સ્યુલેશન ગુણધર્મો પ્રદાન કરે છે, જે તમારા ઇલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણોની એકંદર વિશ્વસનીયતામાં ફાળો આપે છે. વિદ્યુત હસ્તક્ષેપ ઘટાડીને અને ઘટક સ્થિરતા વધારીને, સેમિસેરાના સિલિકોન નાઇટ્રાઇડ સિરામિક સબસ્ટ્રેટ્સ ઉપકરણની કામગીરીને ઑપ્ટિમાઇઝ કરવામાં નિર્ણાયક ભૂમિકા ભજવે છે.
સેમિસેરાના સિલિકોન નાઇટ્રાઇડ સિરામિક સબસ્ટ્રેટને પસંદ કરવાનો અર્થ એ છે કે ઉચ્ચ પ્રદર્શન અને ટકાઉપણું બંને પ્રદાન કરે તેવા ઉત્પાદનમાં રોકાણ કરવું. અમારા સબસ્ટ્રેટને અદ્યતન ઇલેક્ટ્રોનિક એપ્લિકેશન્સની જરૂરિયાતોને પહોંચી વળવા માટે એન્જીનિયર કરવામાં આવે છે, તે સુનિશ્ચિત કરે છે કે તમારા ઉપકરણોને અદ્યતન સામગ્રી તકનીક અને અસાધારણ વિશ્વસનીયતાનો લાભ મળે છે.
વસ્તુઓ | ઉત્પાદન | સંશોધન | ડમી |
ક્રિસ્ટલ પરિમાણો | |||
પોલીટાઈપ | 4H | ||
સપાટી ઓરિએન્ટેશન ભૂલ | <11-20 >4±0.15° | ||
વિદ્યુત પરિમાણો | |||
ડોપન્ટ | n-પ્રકાર નાઇટ્રોજન | ||
પ્રતિકારકતા | 0.015-0.025ઓહ્મ સેમી | ||
યાંત્રિક પરિમાણો | |||
વ્યાસ | 150.0±0.2mm | ||
જાડાઈ | 350±25 μm | ||
પ્રાથમિક ફ્લેટ ઓરિએન્ટેશન | [1-100]±5° | ||
પ્રાથમિક સપાટ લંબાઈ | 47.5±1.5mm | ||
માધ્યમિક ફ્લેટ | કોઈ નહિ | ||
ટીટીવી | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
નમન | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
વાર્પ | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
ફ્રન્ટ (સી-ફેસ) રફનેસ (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
માળખું | |||
માઇક્રોપાઇપ ઘનતા | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
ધાતુની અશુદ્ધિઓ | ≤5E10 પરમાણુ/cm2 | NA | |
બીપીડી | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
ટીએસડી | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
ફ્રન્ટ ગુણવત્તા | |||
આગળ | Si | ||
સપાટી પૂર્ણાહુતિ | સી-ફેસ CMP | ||
કણો | ≤60ea/વેફર (size≥0.3μm) | NA | |
સ્ક્રેચેસ | ≤5ea/mm સંચિત લંબાઈ ≤ વ્યાસ | સંચિત લંબાઈ≤2*વ્યાસ | NA |
નારંગીની છાલ/ખાડા/ડાઘા/ધડાકા/તિરાડો/દૂષણ | કોઈ નહિ | NA | |
એજ ચિપ્સ/ઇન્ડેન્ટ્સ/ફ્રેક્ચર/હેક્સ પ્લેટ્સ | કોઈ નહિ | ||
પોલીટાઈપ વિસ્તારો | કોઈ નહિ | સંચિત વિસ્તાર≤20% | સંચિત વિસ્તાર≤30% |
ફ્રન્ટ લેસર માર્કિંગ | કોઈ નહિ | ||
પાછા ગુણવત્તા | |||
પાછા સમાપ્ત | સી-ફેસ CMP | ||
સ્ક્રેચેસ | ≤5ea/mm, સંચિત લંબાઈ≤2*વ્યાસ | NA | |
પાછળની ખામી (એજ ચિપ્સ/ઇન્ડેન્ટ) | કોઈ નહિ | ||
પાછળની ખરબચડી | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
પાછળ લેસર માર્કિંગ | 1 મીમી (ઉપરની ધારથી) | ||
એજ | |||
એજ | ચેમ્ફર | ||
પેકેજિંગ | |||
પેકેજિંગ | વેક્યૂમ પેકેજિંગ સાથે એપી-તૈયાર મલ્ટી-વેફર કેસેટ પેકેજિંગ | ||
*નોંધ: "NA" નો અર્થ છે કોઈ વિનંતી નહીં ઉલ્લેખિત વસ્તુઓ SEMI-STD નો સંદર્ભ લઈ શકે છે. |