સેમીસેરાનું પી-ટાઈપ SiC સબસ્ટ્રેટ વેફર અદ્યતન ઈલેક્ટ્રોનિક અને ઓપ્ટોઈલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણો વિકસાવવા માટેનું મુખ્ય ઘટક છે. આ વેફર્સ ખાસ કરીને ઉચ્ચ-શક્તિ અને ઉચ્ચ-તાપમાન વાતાવરણમાં ઉન્નત પ્રદર્શન પ્રદાન કરવા માટે બનાવવામાં આવ્યા છે, જે કાર્યક્ષમ અને ટકાઉ ઘટકોની વધતી માંગને સમર્થન આપે છે.
અમારા SiC વેફર્સમાં પી-ટાઈપ ડોપિંગ સુધારેલ વિદ્યુત વાહકતા અને ચાર્જ કેરિયર ગતિશીલતાને સુનિશ્ચિત કરે છે. આ તેમને પાવર ઇલેક્ટ્રોનિક્સ, LEDs અને ફોટોવોલ્ટેઇક કોષોમાં એપ્લિકેશન માટે ખાસ કરીને યોગ્ય બનાવે છે, જ્યાં ઓછી પાવર લોસ અને ઉચ્ચ કાર્યક્ષમતા મહત્વપૂર્ણ છે.
ચોકસાઇ અને ગુણવત્તાના સર્વોચ્ચ ધોરણો સાથે ઉત્પાદિત, સેમિસેરાના પી-ટાઇપ SiC વેફર્સ સપાટીની શ્રેષ્ઠ એકરૂપતા અને ન્યૂનતમ ખામી દર ઓફર કરે છે. એરોસ્પેસ, ઓટોમોટિવ અને નવીનીકરણીય ઉર્જા ક્ષેત્રો જેવા ઉદ્યોગો માટે આ લાક્ષણિકતાઓ મહત્વપૂર્ણ છે જ્યાં સુસંગતતા અને વિશ્વસનીયતા આવશ્યક છે.
નવીનતા અને શ્રેષ્ઠતા પ્રત્યે સેમિસેરાની પ્રતિબદ્ધતા અમારા પી-ટાઈપ SiC સબસ્ટ્રેટ વેફરમાં સ્પષ્ટ છે. આ વેફર્સને તમારી ઉત્પાદન પ્રક્રિયામાં એકીકૃત કરીને, તમે ખાતરી કરો છો કે તમારા ઉપકરણોને SiC ના અસાધારણ થર્મલ અને ઇલેક્ટ્રિકલ ગુણધર્મોનો લાભ મળે છે, જે તેમને પડકારજનક પરિસ્થિતિઓમાં અસરકારક રીતે કાર્ય કરવા સક્ષમ બનાવે છે.
સેમિસેરાના પી-ટાઈપ SiC સબસ્ટ્રેટ વેફરમાં રોકાણ કરવાનો અર્થ એ છે કે એવી પ્રોડક્ટ પસંદ કરવી જે અદ્યતન સામગ્રી વિજ્ઞાનને ઝીણવટભરી એન્જિનિયરિંગ સાથે જોડે. સેમિસેરા સેમિકન્ડક્ટર ઉદ્યોગમાં તમારી સફળતા માટે જરૂરી ઘટકો પૂરા પાડવા, ઇલેક્ટ્રોનિક અને ઑપ્ટોઇલેક્ટ્રૉનિક તકનીકોની આગામી પેઢીને સમર્થન આપવા માટે સમર્પિત છે.
| વસ્તુઓ | ઉત્પાદન | સંશોધન | ડમી |
| ક્રિસ્ટલ પરિમાણો | |||
| પોલીટાઈપ | 4H | ||
| સપાટી ઓરિએન્ટેશન ભૂલ | <11-20 >4±0.15° | ||
| વિદ્યુત પરિમાણો | |||
| ડોપન્ટ | n-પ્રકાર નાઇટ્રોજન | ||
| પ્રતિકારકતા | 0.015-0.025ઓહ્મ સેમી | ||
| યાંત્રિક પરિમાણો | |||
| વ્યાસ | 150.0±0.2mm | ||
| જાડાઈ | 350±25 μm | ||
| પ્રાથમિક ફ્લેટ ઓરિએન્ટેશન | [1-100]±5° | ||
| પ્રાથમિક સપાટ લંબાઈ | 47.5±1.5mm | ||
| માધ્યમિક ફ્લેટ | કોઈ નહિ | ||
| ટીટીવી | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| નમન | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| વાર્પ | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| ફ્રન્ટ (સી-ફેસ) રફનેસ (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| માળખું | |||
| માઇક્રોપાઇપ ઘનતા | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| ધાતુની અશુદ્ધિઓ | ≤5E10 પરમાણુ/cm2 | NA | |
| બીપીડી | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| ટીએસડી | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| ફ્રન્ટ ગુણવત્તા | |||
| આગળ | Si | ||
| સપાટી પૂર્ણાહુતિ | સી-ફેસ CMP | ||
| કણો | ≤60ea/વેફર (size≥0.3μm) | NA | |
| સ્ક્રેચેસ | ≤5ea/mm સંચિત લંબાઈ ≤ વ્યાસ | સંચિત લંબાઈ≤2*વ્યાસ | NA |
| નારંગીની છાલ/ખાડા/ડાઘા/ધડાકા/તિરાડો/દૂષણ | કોઈ નહિ | NA | |
| એજ ચિપ્સ/ઇન્ડેન્ટ્સ/ફ્રેક્ચર/હેક્સ પ્લેટ્સ | કોઈ નહિ | ||
| પોલીટાઈપ વિસ્તારો | કોઈ નહિ | સંચિત વિસ્તાર≤20% | સંચિત વિસ્તાર≤30% |
| ફ્રન્ટ લેસર માર્કિંગ | કોઈ નહિ | ||
| પાછા ગુણવત્તા | |||
| પાછા સમાપ્ત | સી-ફેસ CMP | ||
| સ્ક્રેચેસ | ≤5ea/mm, સંચિત લંબાઈ≤2*વ્યાસ | NA | |
| પાછળની ખામી (એજ ચિપ્સ/ઇન્ડેન્ટ) | કોઈ નહિ | ||
| પાછળની ખરબચડી | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| પાછળ લેસર માર્કિંગ | 1 મીમી (ઉપરની ધારથી) | ||
| એજ | |||
| એજ | ચેમ્ફર | ||
| પેકેજિંગ | |||
| પેકેજિંગ | વેક્યૂમ પેકેજિંગ સાથે એપી-તૈયાર મલ્ટી-વેફર કેસેટ પેકેજિંગ | ||
| *નોંધ: "NA" નો અર્થ છે કોઈ વિનંતી નહીં ઉલ્લેખિત વસ્તુઓ SEMI-STD નો સંદર્ભ લઈ શકે છે. | |||






