સેમિસેરા ઉચ્ચ ગુણવત્તાની કસ્ટમ રજૂ કરે છેસિલિકોન કાર્બાઇડ કેન્ટીલીવર પેડલ્સસેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદન પ્રક્રિયાઓને વધારવા માટે રચાયેલ છે. નવીનSiC ચપ્પુડિઝાઈન અસાધારણ ટકાઉપણું અને ઉચ્ચ થર્મલ પ્રતિકારની ખાતરી આપે છે, જે તેને પડકારજનક ઉચ્ચ-તાપમાન વાતાવરણમાં વેફર હેન્ડલિંગ માટે આવશ્યક ઘટક બનાવે છે.
આસિલિકોન કાર્બાઇડ પેડલસેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનના નિર્ણાયક તબક્કાઓ દરમિયાન વિશ્વસનીય વેફર પરિવહનને સુનિશ્ચિત કરીને માળખાકીય અખંડિતતા જાળવી રાખીને આત્યંતિક થર્મલ ચક્રનો સામનો કરવા માટે બનાવવામાં આવ્યું છે. બહેતર યાંત્રિક શક્તિ સાથે, આવેફર બોટવેફરને નુકસાન થવાનું જોખમ ઘટાડે છે, જેનાથી ઉચ્ચ ઉપજ અને સતત ઉત્પાદન ગુણવત્તા મળે છે.
સેમિસેરાના SiC પેડલમાં મુખ્ય નવીનતાઓમાંની એક તેના કસ્ટમ ડિઝાઇન વિકલ્પોમાં રહેલી છે. ચોક્કસ ઉત્પાદન જરૂરિયાતોને પહોંચી વળવા માટે તૈયાર કરાયેલ, પેડલ વિવિધ સાધનોના સેટઅપ સાથે એકીકરણમાં લવચીકતા પ્રદાન કરે છે, જે તેને આધુનિક ફેબ્રિકેશન પ્રક્રિયાઓ માટે એક આદર્શ ઉકેલ બનાવે છે. હલકો છતાં મજબૂત બાંધકામ સરળ હેન્ડલિંગને સક્ષમ કરે છે અને ઓપરેશનલ ડાઉનટાઇમ ઘટાડે છે, સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનમાં સુધારેલી કાર્યક્ષમતામાં ફાળો આપે છે.
તેના થર્મલ અને યાંત્રિક ગુણધર્મો ઉપરાંત, ધસિલિકોન કાર્બાઇડ પેડલઉત્તમ રાસાયણિક પ્રતિકાર પ્રદાન કરે છે, તે કઠોર રાસાયણિક વાતાવરણમાં પણ વિશ્વસનીય રીતે કાર્ય કરવા દે છે. આ તેને ખાસ કરીને એચીંગ, ડિપોઝિશન અને ઉચ્ચ-તાપમાનની સારવાર સાથે સંકળાયેલી પ્રક્રિયાઓમાં ઉપયોગ માટે યોગ્ય બનાવે છે, જ્યાં ઉચ્ચ ગુણવત્તાની આઉટપુટની ખાતરી કરવા માટે વેફર બોટની અખંડિતતા જાળવવી મહત્વપૂર્ણ છે.
| રિક્રિસ્ટલાઇઝ્ડ સિલિકોન કાર્બાઇડના ભૌતિક ગુણધર્મો | |
| મિલકત | લાક્ષણિક મૂલ્ય |
| કાર્યકારી તાપમાન (°C) | 1600°C (ઓક્સિજન સાથે), 1700°C (વાતાવરણ ઘટાડવું) |
| SiC સામગ્રી | > 99.96% |
| મફત Si સામગ્રી | < 0.1% |
| બલ્ક ઘનતા | 2.60-2.70 ગ્રામ/સે.મી3 |
| દેખીતી છિદ્રાળુતા | < 16% |
| કમ્પ્રેશન તાકાત | > 600 MPa |
| કોલ્ડ બેન્ડિંગ તાકાત | 80-90 MPa (20°C) |
| ગરમ બેન્ડિંગ તાકાત | 90-100 MPa (1400°C) |
| થર્મલ વિસ્તરણ @1500°C | 4.70 10-6/°સે |
| થર્મલ વાહકતા @1200°C | 23 W/m•K |
| સ્થિતિસ્થાપક મોડ્યુલસ | 240 GPa |
| થર્મલ આંચકો પ્રતિકાર | અત્યંત સારું |
