સેમીસેરાના 6 ઇંચ સેમી-ઇન્સ્યુલેટીંગ HPSI SiC વેફર્સ આધુનિક સેમિકન્ડક્ટર ટેકનોલોજીની સખત માંગને પહોંચી વળવા માટે ડિઝાઇન કરવામાં આવ્યા છે. અસાધારણ શુદ્ધતા અને સુસંગતતા સાથે, આ વેફર્સ ઉચ્ચ કાર્યક્ષમતાવાળા ઇલેક્ટ્રોનિક ઘટકોના વિકાસ માટે વિશ્વસનીય પાયા તરીકે સેવા આપે છે.
આ HPSI SiC વેફર્સ તેમની ઉત્કૃષ્ટ થર્મલ વાહકતા અને વિદ્યુત ઇન્સ્યુલેશન માટે જાણીતા છે, જે પાવર ઉપકરણો અને ઉચ્ચ-આવર્તન સર્કિટના પ્રભાવને શ્રેષ્ઠ બનાવવા માટે મહત્વપૂર્ણ છે. અર્ધ-ઇન્સ્યુલેટીંગ ગુણધર્મો ઇલેક્ટ્રિકલ દખલ ઘટાડવામાં અને ઉપકરણની કાર્યક્ષમતા વધારવામાં મદદ કરે છે.
સેમિસેરા દ્વારા કાર્યરત ઉચ્ચ-ગુણવત્તાવાળી ઉત્પાદન પ્રક્રિયા એ સુનિશ્ચિત કરે છે કે દરેક વેફરમાં એકસમાન જાડાઈ અને સપાટીની ન્યૂનતમ ખામીઓ છે. રેડિયો ફ્રીક્વન્સી ડિવાઇસ, પાવર ઇન્વર્ટર અને LED સિસ્ટમ્સ જેવી અદ્યતન એપ્લિકેશન માટે આ ચોકસાઇ આવશ્યક છે, જ્યાં કામગીરી અને ટકાઉપણું મુખ્ય પરિબળો છે.
અત્યાધુનિક ઉત્પાદન તકનીકોનો ઉપયોગ કરીને, સેમિસેરા વેફર્સ પ્રદાન કરે છે જે માત્ર ઉદ્યોગના ધોરણોને પૂર્ણ કરે છે પરંતુ તેનાથી વધુ છે. 6-ઇંચનું કદ સેમિકન્ડક્ટર સેક્ટરમાં સંશોધન અને વ્યાપારી એપ્લિકેશન બંને માટે ઉત્પાદનને વધારવામાં રાહત આપે છે.
સેમિસેરાના 6 ઇંચ સેમી-ઇન્સ્યુલેટીંગ HPSI SiC વેફર્સ પસંદ કરવાનો અર્થ એ છે કે એવા ઉત્પાદનમાં રોકાણ કરવું કે જે સતત ગુણવત્તા અને પ્રદર્શન આપે. આ વેફર્સ નવીન સામગ્રી અને ઝીણવટભરી કારીગરી દ્વારા સેમિકન્ડક્ટર ટેક્નોલોજીની ક્ષમતાઓને આગળ વધારવા માટે સેમિસેરાની પ્રતિબદ્ધતાનો એક ભાગ છે.
વસ્તુઓ | ઉત્પાદન | સંશોધન | ડમી |
ક્રિસ્ટલ પરિમાણો | |||
પોલીટાઈપ | 4H | ||
સપાટી ઓરિએન્ટેશન ભૂલ | <11-20 >4±0.15° | ||
વિદ્યુત પરિમાણો | |||
ડોપન્ટ | n-પ્રકાર નાઇટ્રોજન | ||
પ્રતિકારકતા | 0.015-0.025ઓહ્મ સેમી | ||
યાંત્રિક પરિમાણો | |||
વ્યાસ | 150.0±0.2mm | ||
જાડાઈ | 350±25 μm | ||
પ્રાથમિક ફ્લેટ ઓરિએન્ટેશન | [1-100]±5° | ||
પ્રાથમિક સપાટ લંબાઈ | 47.5±1.5mm | ||
માધ્યમિક ફ્લેટ | કોઈ નહિ | ||
ટીટીવી | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
નમન | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
વાર્પ | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
ફ્રન્ટ (સી-ફેસ) રફનેસ (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
માળખું | |||
માઇક્રોપાઇપ ઘનતા | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
ધાતુની અશુદ્ધિઓ | ≤5E10 પરમાણુ/cm2 | NA | |
બીપીડી | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
ટીએસડી | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
ફ્રન્ટ ગુણવત્તા | |||
આગળ | Si | ||
સપાટી પૂર્ણાહુતિ | સી-ફેસ CMP | ||
કણો | ≤60ea/વેફર (size≥0.3μm) | NA | |
સ્ક્રેચેસ | ≤5ea/mm સંચિત લંબાઈ ≤ વ્યાસ | સંચિત લંબાઈ≤2*વ્યાસ | NA |
નારંગીની છાલ/ખાડા/ડાઘા/ધડાકા/તિરાડો/દૂષણ | કોઈ નહિ | NA | |
એજ ચિપ્સ/ઇન્ડેન્ટ્સ/ફ્રેક્ચર/હેક્સ પ્લેટ્સ | કોઈ નહિ | ||
પોલીટાઈપ વિસ્તારો | કોઈ નહિ | સંચિત વિસ્તાર≤20% | સંચિત વિસ્તાર≤30% |
ફ્રન્ટ લેસર માર્કિંગ | કોઈ નહિ | ||
પાછા ગુણવત્તા | |||
પાછા સમાપ્ત | સી-ફેસ CMP | ||
સ્ક્રેચેસ | ≤5ea/mm, સંચિત લંબાઈ≤2*વ્યાસ | NA | |
પાછળની ખામી (એજ ચિપ્સ/ઇન્ડેન્ટ) | કોઈ નહિ | ||
પાછળની ખરબચડી | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
પાછળ લેસર માર્કિંગ | 1 મીમી (ઉપરની ધારથી) | ||
એજ | |||
એજ | ચેમ્ફર | ||
પેકેજિંગ | |||
પેકેજિંગ | વેક્યૂમ પેકેજિંગ સાથે એપી-તૈયાર મલ્ટી-વેફર કેસેટ પેકેજિંગ | ||
*નોંધ: "NA" નો અર્થ છે કોઈ વિનંતી નહીં ઉલ્લેખિત વસ્તુઓ SEMI-STD નો સંદર્ભ લઈ શકે છે. |