સેમીસેરાના 4 ઇંચ એન-ટાઇપ SiC સબસ્ટ્રેટ્સ સેમિકન્ડક્ટર ઉદ્યોગના ચોક્કસ ધોરણોને પૂર્ણ કરવા માટે બનાવવામાં આવ્યા છે. આ સબસ્ટ્રેટ્સ અસાધારણ વાહકતા અને થર્મલ પ્રોપર્ટીઝ ઓફર કરતી ઇલેક્ટ્રોનિક એપ્લિકેશન્સની વિશાળ શ્રેણી માટે ઉચ્ચ-પ્રદર્શન પાયો પૂરો પાડે છે.
આ SiC સબસ્ટ્રેટનું એન-ટાઈપ ડોપિંગ તેમની વિદ્યુત વાહકતાને વધારે છે, જે તેમને ખાસ કરીને ઉચ્ચ-શક્તિ અને ઉચ્ચ-આવર્તન એપ્લિકેશન માટે યોગ્ય બનાવે છે. આ ગુણધર્મ ડાયોડ, ટ્રાન્ઝિસ્ટર અને એમ્પ્લીફાયર જેવા ઉપકરણોના કાર્યક્ષમ સંચાલન માટે પરવાનગી આપે છે, જ્યાં ઉર્જાનું નુકસાન ઓછું કરવું મહત્વપૂર્ણ છે.
દરેક સબસ્ટ્રેટ સપાટીની ઉત્તમ ગુણવત્તા અને એકરૂપતા દર્શાવે છે તેની ખાતરી કરવા માટે સેમિસેરા અત્યાધુનિક ઉત્પાદન પ્રક્રિયાઓનો ઉપયોગ કરે છે. પાવર ઇલેક્ટ્રોનિક્સ, માઇક્રોવેવ ઉપકરણો અને અન્ય ટેક્નોલોજીઓ કે જે આત્યંતિક પરિસ્થિતિઓમાં વિશ્વસનીય કામગીરીની માંગ કરે છે તે એપ્લિકેશન્સ માટે આ ચોકસાઇ મહત્વપૂર્ણ છે.
તમારી પ્રોડક્શન લાઇનમાં સેમિસેરાના એન-ટાઈપ SiC સબસ્ટ્રેટ્સને સામેલ કરવાનો અર્થ એ છે કે એવી સામગ્રીથી લાભ મેળવવો જે શ્રેષ્ઠ ગરમીનો વ્યય અને વિદ્યુત સ્થિરતા પ્રદાન કરે છે. આ સબસ્ટ્રેટ્સ એવા ઘટકો બનાવવા માટે આદર્શ છે કે જેને ટકાઉપણું અને કાર્યક્ષમતાની જરૂર હોય, જેમ કે પાવર કન્વર્ઝન સિસ્ટમ્સ અને આરએફ એમ્પ્લીફાયર.
સેમિસેરાના 4 ઇંચના એન-ટાઇપ SiC સબસ્ટ્રેટ્સને પસંદ કરીને, તમે એવા ઉત્પાદનમાં રોકાણ કરી રહ્યાં છો કે જે ઝીણવટભરી કારીગરી સાથે નવીન સામગ્રી વિજ્ઞાનને જોડે છે. સેમિસેરા ઉચ્ચ પ્રદર્શન અને વિશ્વસનીયતા સુનિશ્ચિત કરીને અત્યાધુનિક સેમિકન્ડક્ટર ટેક્નોલોજીના વિકાસને સમર્થન આપતા ઉકેલો પ્રદાન કરીને ઉદ્યોગનું નેતૃત્વ કરવાનું ચાલુ રાખે છે.
વસ્તુઓ | ઉત્પાદન | સંશોધન | ડમી |
ક્રિસ્ટલ પરિમાણો | |||
પોલીટાઈપ | 4H | ||
સપાટી ઓરિએન્ટેશન ભૂલ | <11-20 >4±0.15° | ||
વિદ્યુત પરિમાણો | |||
ડોપન્ટ | n-પ્રકાર નાઇટ્રોજન | ||
પ્રતિકારકતા | 0.015-0.025ઓહ્મ સેમી | ||
યાંત્રિક પરિમાણો | |||
વ્યાસ | 150.0±0.2mm | ||
જાડાઈ | 350±25 μm | ||
પ્રાથમિક ફ્લેટ ઓરિએન્ટેશન | [1-100]±5° | ||
પ્રાથમિક સપાટ લંબાઈ | 47.5±1.5mm | ||
માધ્યમિક ફ્લેટ | કોઈ નહિ | ||
ટીટીવી | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
નમન | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
વાર્પ | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
ફ્રન્ટ (સી-ફેસ) રફનેસ (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
માળખું | |||
માઇક્રોપાઇપ ઘનતા | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
ધાતુની અશુદ્ધિઓ | ≤5E10 પરમાણુ/cm2 | NA | |
બીપીડી | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
ટીએસડી | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
ફ્રન્ટ ગુણવત્તા | |||
આગળ | Si | ||
સપાટી પૂર્ણાહુતિ | સી-ફેસ CMP | ||
કણો | ≤60ea/વેફર (size≥0.3μm) | NA | |
સ્ક્રેચેસ | ≤5ea/mm સંચિત લંબાઈ ≤ વ્યાસ | સંચિત લંબાઈ≤2*વ્યાસ | NA |
નારંગીની છાલ/ખાડા/ડાઘા/ધડાકા/તિરાડો/દૂષણ | કોઈ નહિ | NA | |
એજ ચિપ્સ/ઇન્ડેન્ટ્સ/ફ્રેક્ચર/હેક્સ પ્લેટ્સ | કોઈ નહિ | ||
પોલીટાઈપ વિસ્તારો | કોઈ નહિ | સંચિત વિસ્તાર≤20% | સંચિત વિસ્તાર≤30% |
ફ્રન્ટ લેસર માર્કિંગ | કોઈ નહિ | ||
પાછા ગુણવત્તા | |||
પાછા સમાપ્ત | સી-ફેસ CMP | ||
સ્ક્રેચેસ | ≤5ea/mm, સંચિત લંબાઈ≤2*વ્યાસ | NA | |
પાછળની ખામી (એજ ચિપ્સ/ઇન્ડેન્ટ) | કોઈ નહિ | ||
પાછળની ખરબચડી | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
પાછળ લેસર માર્કિંગ | 1 મીમી (ઉપરની ધારથી) | ||
એજ | |||
એજ | ચેમ્ફર | ||
પેકેજિંગ | |||
પેકેજિંગ | વેક્યૂમ પેકેજિંગ સાથે એપી-તૈયાર મલ્ટી-વેફર કેસેટ પેકેજિંગ | ||
*નોંધ: "NA" નો અર્થ છે કોઈ વિનંતી નહીં ઉલ્લેખિત વસ્તુઓ SEMI-STD નો સંદર્ભ લઈ શકે છે. |

