વાતાવરણીય દબાણ હેઠળ સિન્ટર્ડ સિલિકોન કાર્બાઇડની સામગ્રીની રચના અને ગુણધર્મો

【સારાંશ વર્ણન 】 આધુનિક C, N, B અને અન્ય નોન-ઓક્સાઈડ હાઇ-ટેક રીફ્રેક્ટરી કાચા માલમાં, વાતાવરણીય દબાણ સિન્ટર્ડસિલિકોન કાર્બાઇડવ્યાપક અને આર્થિક છે, અને તેને એમરી અથવા પ્રત્યાવર્તન રેતી કહી શકાય. શુદ્ધસિલિકોન કાર્બાઇડરંગહીન પારદર્શક સ્ફટિક છે. તો સામગ્રીની રચના અને લાક્ષણિકતાઓ શું છેસિલિકોન કાર્બાઇડ?

 

વાતાવરણીય દબાણની સામગ્રીની રચના સિન્ટર્ડસિલિકોન કાર્બાઇડ:

વાતાવરણીય દબાણ sinteredસિલિકોન કાર્બાઇડઉદ્યોગમાં વપરાયેલ અશુદ્ધિઓના પ્રકાર અને સામગ્રી અનુસાર આછો પીળો, લીલો, વાદળી અને કાળો હોય છે, અને શુદ્ધતા અલગ હોય છે અને પારદર્શિતા અલગ હોય છે. સિલિકોન કાર્બાઇડ ક્રિસ્ટલ સ્ટ્રક્ચર છ-શબ્દ અથવા હીરા આકારના પ્લુટોનિયમ અને ક્યુબિક પ્લુટોનિયમ-sic માં વિભાજિત થયેલ છે. ક્રિસ્ટલ સ્ટ્રક્ચરમાં કાર્બન અને સિલિકોન અણુઓના સ્ટેકીંગ ક્રમના વિવિધ ક્રમને કારણે પ્લુટોનિયમ-sic વિવિધ પ્રકારના વિકૃતિ બનાવે છે, અને 70 થી વધુ પ્રકારના વિકૃતિઓ મળી આવ્યા છે. બીટા-એસઆઈસી 2100 થી ઉપર આલ્ફા-એસઆઈસીમાં રૂપાંતરિત થાય છે. સિલિકોન કાર્બાઈડની ઔદ્યોગિક પ્રક્રિયાને પ્રતિકારક ભઠ્ઠીમાં ઉચ્ચ ગુણવત્તાની ક્વાર્ટઝ રેતી અને પેટ્રોલિયમ કોકથી શુદ્ધ કરવામાં આવે છે. રિફાઈન્ડ સિલિકોન કાર્બાઈડ બ્લોક્સ કચડીને, એસિડ-બેઝ ક્લિનિંગ, મેગ્નેટિક સેપરેશન, સ્ક્રીનિંગ અથવા વોટર સિલેક્શન દ્વારા વિવિધ કણોના કદના ઉત્પાદનોનું ઉત્પાદન કરવામાં આવે છે.

 

વાતાવરણીય દબાણની સામગ્રીની લાક્ષણિકતાઓસિન્ટર્ડ સિલિકોન કાર્બાઇડ:

સિલિકોન કાર્બાઇડ સારી રાસાયણિક સ્થિરતા, થર્મલ વાહકતા, થર્મલ વિસ્તરણ ગુણાંક, વસ્ત્રો પ્રતિકાર ધરાવે છે, તેથી ઘર્ષક ઉપયોગ ઉપરાંત, તેના ઘણા ઉપયોગો છે: ઉદાહરણ તરીકે, સિલિકોન કાર્બાઇડ પાવડર ટર્બાઇન ઇમ્પેલર અથવા સિલિન્ડર બ્લોકની આંતરિક દિવાલ પર કોટેડ છે. એક ખાસ પ્રક્રિયા, જે વસ્ત્રોના પ્રતિકારને સુધારી શકે છે અને જીવનને 1 થી 2 વખત લંબાવી શકે છે. ગરમી-પ્રતિરોધક, નાનું કદ, હલકું વજન, ઉચ્ચ-ગ્રેડની પ્રત્યાવર્તન સામગ્રીની ઉચ્ચ તાકાત, ઊર્જા કાર્યક્ષમતા ખૂબ સારી છે. લો-ગ્રેડ સિલિકોન કાર્બાઇડ (લગભગ 85% SiC સહિત) સ્ટીલ બનાવવાની ઝડપ વધારવા અને સ્ટીલની ગુણવત્તા સુધારવા માટે રાસાયણિક રચનાને સરળતાથી નિયંત્રિત કરવા માટે ઉત્તમ ડીઓક્સિડાઇઝર છે. વધુમાં, સિલિકોન કાર્બન સળિયાના વિદ્યુત ભાગોના ઉત્પાદનમાં વાતાવરણીય દબાણવાળા સિન્ટર્ડ સિલિકોન કાર્બાઇડનો પણ વ્યાપકપણે ઉપયોગ થાય છે.

સિલિકોન કાર્બાઇડ ખૂબ સખત છે. મોર્સ કઠિનતા 9.5 છે, જે વિશ્વના હાર્ડ હીરા (10) પછી બીજા ક્રમે છે, ઉત્તમ થર્મલ વાહકતા ધરાવતું સેમિકન્ડક્ટર છે, ઊંચા તાપમાને ઓક્સિડેશનનો પ્રતિકાર કરી શકે છે. સિલિકોન કાર્બાઇડમાં ઓછામાં ઓછા 70 સ્ફટિકીય પ્રકાર હોય છે. પ્લુટોનિયમ-સિલિકોન કાર્બાઇડ એ એક સામાન્ય આઇસોમર છે જે 2000 થી ઉપરના તાપમાને બને છે અને તે ષટ્કોણ સ્ફટિકીય માળખું ધરાવે છે (વુર્ટઝાઇટ જેવું જ). વાતાવરણીય દબાણ હેઠળ સિન્ટર્ડ સિલિકોન કાર્બાઇડ

 

ની અરજીસિલિકોન કાર્બાઇડસેમિકન્ડક્ટર ઉદ્યોગમાં

સિલિકોન કાર્બાઇડ સેમિકન્ડક્ટર ઇન્ડસ્ટ્રી ચેઇનમાં મુખ્યત્વે સિલિકોન કાર્બાઇડ હાઇ-પ્યુરિટી પાવડર, સિંગલ ક્રિસ્ટલ સબસ્ટ્રેટ, એપિટેક્સિયલ શીટ, પાવર ઘટકો, મોડ્યુલ પેકેજિંગ અને ટર્મિનલ એપ્લિકેશનનો સમાવેશ થાય છે.

1. સિંગલ ક્રિસ્ટલ સબસ્ટ્રેટ સિંગલ ક્રિસ્ટલ સબસ્ટ્રેટ સેમિકન્ડક્ટર સહાયક સામગ્રી, વાહક સામગ્રી અને એપિટેક્સિયલ વૃદ્ધિ સબસ્ટ્રેટ છે. હાલમાં, SiC સિંગલ ક્રિસ્ટલની વૃદ્ધિની પદ્ધતિઓમાં ભૌતિક વરાળ ટ્રાન્સફર પદ્ધતિ (PVT પદ્ધતિ), લિક્વિડ ફેઝ પદ્ધતિ (LPE પદ્ધતિ), અને ઉચ્ચ તાપમાનની રાસાયણિક વરાળ ડિપોઝિશન પદ્ધતિ (HTCVD પદ્ધતિ)નો સમાવેશ થાય છે. વાતાવરણીય દબાણ હેઠળ સિન્ટર્ડ સિલિકોન કાર્બાઇડ

2. એપિટેક્સિયલ શીટ સિલિકોન કાર્બાઇડ એપિટેક્સિયલ શીટ, સિલિકોન કાર્બાઇડ શીટ, સિંગલ ક્રિસ્ટલ ફિલ્મ (એપિટાક્સિયલ લેયર) સબસ્ટ્રેટ ક્રિસ્ટલની સમાન દિશા સાથે કે જે સિલિકોન કાર્બાઇડ સબસ્ટ્રેટ માટે ચોક્કસ જરૂરિયાતો ધરાવે છે. પ્રેક્ટિકલ એપ્લીકેશનમાં, વાઈડ બેન્ડ ગેપ સેમિકન્ડક્ટર ઉપકરણો લગભગ તમામ એપિટેક્સિયલ લેયરમાં ઉત્પાદિત થાય છે, અને સિલિકોન ચિપનો ઉપયોગ માત્ર સબસ્ટ્રેટ તરીકે થાય છે, જેમાં GaN એપિટેક્સિયલ લેયરના સબસ્ટ્રેટનો સમાવેશ થાય છે.

3. ઉચ્ચ-શુદ્ધતા સિલિકોન કાર્બાઇડ પાવડર ઉચ્ચ-શુદ્ધતા સિલિકોન કાર્બાઇડ પાવડર PVT પદ્ધતિ દ્વારા સિલિકોન કાર્બાઇડ સિંગલ ક્રિસ્ટલના વિકાસ માટે કાચો માલ છે, અને ઉત્પાદનની શુદ્ધતા સિલિકોન કાર્બાઇડ સિંગલ ક્રિસ્ટલની વૃદ્ધિ ગુણવત્તા અને ઇલેક્ટ્રિકલ લાક્ષણિકતાઓને સીધી અસર કરે છે.

4. પાવર ડિવાઇસ એ સિલિકોન કાર્બાઇડ સામગ્રીથી બનેલી વિશાળ-બેન્ડ પાવર છે, જે ઉચ્ચ તાપમાન, ઉચ્ચ આવર્તન અને ઉચ્ચ કાર્યક્ષમતાની લાક્ષણિકતાઓ ધરાવે છે. ઉપકરણના ઓપરેટિંગ સ્વરૂપ અનુસાર, SiC પાવર સપ્લાય ઉપકરણમાં મુખ્યત્વે પાવર ડાયોડ અને પાવર સ્વીચ ટ્યુબનો સમાવેશ થાય છે.

5. ટર્મિનલ ત્રીજી પેઢીના સેમિકન્ડક્ટર એપ્લિકેશન્સમાં, સિલિકોન કાર્બાઇડ સેમિકન્ડક્ટર્સને ગેલિયમ નાઇટ્રાઇડ સેમિકન્ડક્ટરના પૂરક હોવાનો ફાયદો છે. ઉચ્ચ રૂપાંતરણ કાર્યક્ષમતા, ઓછી હીટિંગ લાક્ષણિકતાઓ, હળવા વજન અને SiC ઉપકરણોના અન્ય ફાયદાઓને લીધે, ડાઉનસ્ટ્રીમ ઉદ્યોગની માંગ સતત વધી રહી છે, અને SiO2 ઉપકરણોને બદલવાનું વલણ છે.